SK海力士2025财年净利润同比激增117% 全球存储芯片行业迎来新一轮增长周期

问题——存储周期回暖之下,高性能存储成为增长“关键变量”。 SK海力士1月28日发布截至2025年12月31日的2025财年及第四季度财务报告。数据显示,公司全年实现营收97.1467万亿韩元,同比增长47%;营业利润47.2063万亿韩元,同比增长101%,营业利润率49%;净利润42.9479万亿韩元,同比增长117%,净利润率44%。第四季度表现更为突出:营收32.8267万亿韩元,环比增长34%;营业利润19.1696万亿韩元,环比增长68%,营业利润率达58%,有关指标均刷新公司单季纪录。业绩高增背后,既有全球存储行业供需格局改善,也反映出高带宽内存(HBM)等高端产品对利润的拉动效应持续增强。 原因——产品结构升级与AI算力需求共振,推动盈利“再上台阶”。 从产业链看,全球大模型与算力基础设施建设带动HBM、DDR5等高性能存储需求快速增长,存储厂商产品结构加速向高附加值方向切换。SK海力士表示,公司围绕以AI为核心的需求变化强化技术竞争力、提升高附加值产品占比,实现收益性与增长性兼顾。公司披露,DRAM业务中HBM销售额同比增长逾一倍,成为推动业绩创新高的核心动力。通用DRAM方面,公司量产第六代10纳米级(1c)DDR5 DRAM,并开发基于第五代10纳米级(1b)32Gb单片的256GB服务器DDR5 RDIMM模块,意更稳固服务器模块市场地位。 NAND闪存上,公司上半年需求偏弱背景下完成321层QLC产品研发,下半年把握企业级固态硬盘(eSSD)需求,带动年度销售额创历史新高。综合看,技术迭代、产品组合优化与下游结构性需求共同构成其利润大幅改善的主要支撑。 影响——价格与供给预期变化,或加速产业链“再平衡”。 存储作为典型周期性行业,供给节奏与需求强弱将直接影响价格与盈利。近期韩国媒体报道称,三星电子与SK海力士已与苹果完成谈判,计划上调今年一季度供应给iPhone的低功耗DRAM(LPDDR)价格。若相关信息落地,意味着部分终端领域价格端已出现明显上行动力,将对产业链价格预期和企业收入形成支撑。 此外,AI应用从训练向推理延伸,算力部署从集中式向分布式、多层级架构演进,可能带动数据中心侧对高性能存储与通用存储的“组合式增长”。SK海力士预计,随着推理场景扩张,分布式架构需求将持续扩大,存储的重要性进一步凸显;不仅HBM等高性能产品需求增长,面向服务器的DRAM与NAND闪存等整体需求也将同步扩大。对产业而言,这个变化或将使“算力—存储—封装”的协同能力成为企业竞争的新分水岭。 对策——以HBM4和先进封装为牵引,扩产与协同并举。 在竞争格局上,SK海力士是全球主要存储厂商之一,并在高带宽内存产品推进上动作较快。公司称已率先构建HBM4量产体系,并按客户要求进行量产供货;未来将通过HBM4巩固领先地位,并围绕“定制化HBM(Custom HBM)”完善与客户及合作伙伴的协作体系,以提升解决方案能力。 面对供需可能阶段性失衡,公司表示将优先保障客户需求、深化合作关系,并提出一揽子产能与制造体系建设安排:提前实现韩国清州M15X工厂产能最大化,建设韩国龙仁集群首座工厂(Fab)以中长期扩充产能;同时推进韩国清州P&T7工厂和美国印第安纳州先进封装工厂建设,意在形成前端制造与后端封装联动的全球一体化能力,以提升对客户需求变化的响应速度。整体策略指向清晰:在高端存储竞争中,单纯扩产已不足以形成壁垒,工艺、封装、交付与客户协同能力需要同步强化。 前景——高端存储仍处景气上行区间,但需警惕周期波动与技术迭代压力。 展望后市,AI相关需求仍被视为存储行业重要增量来源,HBM、DDR5与企业级NAND有望延续结构性景气;同时,终端侧若出现补库存或新品拉动,亦可能对价格形成阶段性支撑。但也应看到,存储行业历来受供给扩张与需求变化影响较大,一旦多家厂商扩产节奏过快或宏观需求不及预期,价格波动风险仍存;此外,先进制程与先进封装投入强度高、验证周期长,对资金与执行能力提出更高要求。企业如何在“扩大供给”与“保持盈利”之间取得平衡,将决定其在下一轮竞争中的韧性。

SK海力士的业绩增长反映了全球存储芯片产业正处于新的发展阶段。AI技术快速发展对高端存储芯片的需求呈现爆发式增长,为具有技术领先优势的企业提供了难得的发展机遇。海力士通过持续的技术创新和产能扩张,不仅巩固了自身市场地位,也为全球AI产业发展提供了重要基础支撑。展望未来,随着AI应用场景不断拓展和市场需求持续释放,存储芯片产业仍将保持强劲增长势头,掌握核心技术、具备产能优势的企业将在该轮产业升级中获得更大发展空间。