我国科学家在铁电材料中发现一维带电畴壁 为超高密度器件开发奠定基础

随着信息时代对器件微型化的需求不断提升,传统半导体工艺已接近物理极限。中国科学院物理研究所金奎娟、葛琛研究员团队与博士后钟海等人经过五年研究,在萤石结构铁电薄膜中首次证实了一维带电畴壁的稳定存在。这种结构的厚度仅0.5纳米,与人类DNA链宽度相近,其发现改变了学界对铁电材料界面行为的传统认知。

基础研究的突破往往始于发现以往看不见的结构。这次在萤石结构铁电材料中发现一维带电畴壁,不仅拓展了对铁电畴壁维度与尺度的认识,也为开发更高密度、更低能耗的器件提供了新思路。未来,如何将该微观尺度现象转化为可设计、可制造、可验证的工程技术,将是实现其科学价值和应用潜力的关键。