这次的 SK 海力士在SEMICON Korea 2026展会上展出了 AIP 技术。SK海力士副总裁이성훈 (Lee Sunghoon) 给大家介绍了一种革命性的存储技术。AIP 就把3D NAND一次蚀刻几百层了，不再像之前那样只单次处理100~200层。使用 AIP 技术的话，以前需要把多个堆栈键合在一起的工艺就能避免了。 这种技术改变了传统的高纵横比接触刻工艺，高纵横比接触刻简称HARC。和传统的多阶段加工相比，AIP 还把制造工艺的时间和成本节省下来了。应用了 AIP 技术以后，3D NAND 的生产效率和良率都能大幅提高。这次介绍的 AIP 还可以被应用到下一代的V11 NAND 闪存上。IT之家消息指出，SK 海力士展示了这个新技术为 IT 行业带来的巨大进步。SK 海力士一直致力于技术创新，让 NAND 闪存变得更高效、更低成本。因为 AIP 把制程提高了，NAND 闪存的性能也提升了。把 V11 NAND 闪存应用在这个新技术上， SK 海力士把先进的存储技术做到了极致。 SK 海力士要在 V11 NAND 中导入这个 AIP 技术，它能把 NAND 端的 All-in-Plug 也一次完成，给整个行业带来一次翻天覆地的变化。