最近，阿斯麦公司的首席技术官透露，他们把极紫外（EUV）光源的功率给从600瓦稳定提升到了1000瓦。这次突破，是由于公司把每秒锡滴数量翻倍到了约10万次，并且用两次小型激光脉冲精确塑形等离子体。阿斯麦公司在这次升级中，不仅让光源更耐用，功率也随之提升。他们还计划到2030年把升级后的NXE系列EUV每小时晶圆数从220片给提高到330片。路透社也报道了这个消息，说是因为这些技术突破，芯片制造产能有望迎来50%的爆发。 这次功率提升对芯片制造行业来说具有重要意义。首先，更高功率的EUV光刻机意味着产能不再被“光刻瓶颈”限制住了。同时，芯片制造成本也有可能因此下降。另外，阿斯麦公司通过这些技术升级巩固了自己在光刻机领域的垄断地位。 对于全球芯片产业来说，这次1000瓦EUV光源的落地是一个里程碑事件。以前实验室里的“昙花一现”，现在已经在客户真实产线上复现出来了。 不过首席技术官还透露说，他们还有计划把功率从1000瓦继续给提高到1500瓦，甚至2000瓦也并非不可能。这是因为他们验证了纳米级控制精度和多学科交叉优势正在放大。 这样一来全球芯片总产量有望提升50%。 这次突破对于芯片产业来说是一个重要的进展。它不仅让产能扩张变得更轻松，同时也为后续可能出现的产能周期提供了保障。