我跟你说个事儿，3月4日韩国ZDNet那边有消息传出来，说SK海力士正在搞下一代封装技术，主要是为了给HBM4把稳定性和性能往上提一提。这技术现在还在验证阶段呢。你知道HBM4的I/O信号数量从原来的翻了一番，变成了2048个吧？虽然这样带宽高了，可问题也来了，信号干扰的风险变大了，电压上也不好搞。 SK海力士为了不让整体高度变高、功耗也降低一点，打算把部分上层DRAM芯片给厚一点点。同时还把DRAM层之间的距离缩小了点，这样既能减少供电所需的功耗，又能提高电源效率。以前为了符合HBM4的775微米厚度要求，通常是把芯片背面磨薄来弄的。不过这么做有个坏处：太容易把性能弄低了，还容易被外部冲击给弄敏感了。所以现在SK海力士就把加厚芯片这件事提上了议程。不过问题也来了：间隙窄了，往里头灌模塑底部填充材料（MUF）就更麻烦了。MUF这东西主要是起保护和绝缘作用的。要是填充不均匀或者没填充好，那芯片就容易有缺陷。所以SK海力士就开发了一种新的封装技术。这个技术有个好处是不用大改现有的工艺流程和设备就能用。 听说他们内部测试搞得不错，如果真的商用了，这个技术不光能满足英伟达对HBM4峰值性能的要求，还能把下一代产品的性能推得更高。早些时候有消息说英伟达可能会降低他们最初对HBM4的性能要求，目标可能定到10Gbps左右。半导体分析公司Semianalysis还分析说，英伟达本来给Rubin芯片的总带宽定的目标是22 TB/s，可是内存供应商好像不太容易满足这个数儿。他们估计最初出货量会低于这个数儿，大概在20 TB/s左右。 这下子几家大存储厂就开始拼命比谁的HBM性能好啦。像三星这种大厂最近动作可不少：用了更先进的1c DRAM技术、把DRAM芯片尺寸增大、还搞了全新的供电架构（PDN分段技术），这些都是为了降低HBM的缺陷率。 TrendForce集邦咨询的报告也说了，随着AI基础建设扩张，GPU需求肯定是越来越大了。等到英伟达Rubin平台真的量产了，HBM4的需求肯定也跟着涨。现在三星、SK海力士和美光三家大厂的HBM4验证都快搞完了。预计2026年第二季就会陆续完成验证。 从现在的进展来看三星最稳当，估计能先通过验证。验证完之后第二季就开始量产了。SK海力士那边虽然还在推啊推的，不过他们和英伟达以前就有合作基础嘛。只要在供应位元分配上保持优势就好了。美光那边节奏虽然慢一点，也能赶在第二季搞定。