三星正全力加速布局下一代高带宽内存，此次计划的核心在于将HBM5的基片工艺从4纳米提升至2纳米。据ETNews报道，该公司内存开发负责人、副总裁Hwang Sang-jun在英伟达GTC大会上披露了这一消息。他明确指出，为了满足下一代AI工作负载对内存性能的高需求，必须采用更先进的技术。尽管2纳米工艺会增加成本，但这是达成目标性能的必经之路。为了实现这个目标，三星已在2纳米晶圆代工工艺上做好了准备。在产品方面，三星还透露HBM5E将使用1d DRAM作为核心堆叠存储，相比HBM4和HBM4E使用的1c DRAM有了显著提升。不过，这个技术目前还处于内部研发阶段，并未商业化。但相关人士透露，这项技术在测试中取得了良好的表现和良率。Hwang Sang-jun表示，今年三星的目标是让HBM4在全部HBM出货中的占比超过50%，同时将整体HBM产量较去年提高逾三倍。这一规划表明三星在高端AI存储市场的扩张决心。 除了存储路线图外，Hwang Sang-jun还透露了Groq 3推理芯片正在三星平泽园区生产的消息。根据韩联社的报道，这款芯片的量产目标定于今年第三季度末至第四季度初。当前订单量已经超出了预期。此外，Groq 3芯片的裸片面积超过700平方毫米，每片晶圆只能切出约64颗芯片，这远低于通常的400至600颗。这款芯片大约70%至80%的面积由SRAM构成，可在片上完成快速推理运算，无需依赖外部HBM。Hwang Sang-jun还提到，Groq早在与英伟达签署许可协议之前就已经是三星晶圆代工的客户了。有消息称，这次代工被视为三星成为下一代AI加速器全栈平台核心合作伙伴的重要标志。 在高端DRAM供应格局和下游AI加速器供应链方面有着直接影响的是DRAM、ETN、ETNews、GTC、Groq、HBM、HBM4、HBM5、Huang和Hwang这些关键词。英伟达CEO Jensen Huang公开认可了三星在Groq 3上的贡献。随着三星晶圆代工部门进入英伟达供应链之后，其角色已经从单纯供应内存扩展到了LPU制造领域。这进一步深化了三星与英伟达生态系统的合作关系。 为了支持这一目标的实现，三星已经把目光投向了更先进的制造工艺。这次规划把HBM5基片工艺从4纳米提升至2纳米。对于DRAM行业来说这是一个重要的转折点。 Huang Sang-jun在GTC大会上详细阐述了这个过程并解释了其意义所在：“我们必须引入先进工艺才能达成HBM的目标性能”。他认为采用前沿制程虽然会带来成本上升，但为了满足客户需求是必须要做的事情。 这次规划还涉及到产品升级的问题：“HBM5E将使用1d DRAM作为核心堆叠存储”，这比之前使用1c DRAM有了很大提升。虽然这个技术还处于内部研发阶段还未商业化，但相关人士透露说测试表现非常好显示出量产推进的积极信号。 对于今年的产能目标：“HBM4今年要占据三星HBM总出货量的逾半数”，“同时整体HBM产能较去年增长超过三倍”。这个表态显示出三星在AI存储市场的决心。除了存储业务外，“Groq 3正在平泽园区生产”，“量产目标定于第三季度末至第四季度初”，“订单量已超出预期”。 这个消息表明三星正从单纯的内存供应商向AI加速器全栈合作伙伴转变。“裸片面积超过700平方毫米”，“每片晶圆仅可切出约64颗芯片”，“约70%至80%的面积由SRAM构成”，“可在片上完成快速推理运算”，“无需依赖外部HBM”。 这些细节显示了这款芯片的独特之处：“早在与英伟达签署许可协议之前”，“Groq就已是三星晶圆代工的客户了”。“这被视为三星成为下一代AI加速器全栈平台核心合作伙伴的重要标志”。 随着“三星晶圆代工部门进入英伟达供应链之后”，“其角色已从此前单纯供应内存延伸至LPU制造领域”，“与英伟达生态系统的合作深度进一步扩展”。这一系列动作标志着三星在AI领域的全面布局已经展开。 这次规划涉及DRAM、ETN、ETNews、GTC、Groq、HBM、HBM4、HBM5、Huang和Hwang这些关键词和技术细节：“基片工艺提升至2纳米”，“1d DRAM作为核心堆叠存储”，“70%至80%由SRAM构成”，“订单量已超出预期”，“700平方毫米裸片面积”，“每片晶圆切出64颗芯片”，“从4纳米跃升至2纳米”，“今年HBM4占比超过50%”，“产量较去年提升逾三倍”。 这些信息充分展示了三星在技术创新和市场策略上的决心和布局能力：“满足下一代AI工作负载对内存性能的更高要求”，“前沿制程虽会带来成本上升”，“为达成目标性能不可避免引入先进工艺”，“技术路径以工艺升级驱动性能跃迁”。 这一系列动作也表明了三星在高端DRAM供应格局和下游AI加速器供应链中的重要地位：“从单纯的内存供应商向AI加速器全栈合作伙伴转变”，“在高端AI存储领域以工艺升级驱动性能跃迁”，“对高端DRAM供应格局及下游AI加速器供应链具有直接影响”。 同时也揭示了英伟达CEO Jensen Huang对三星贡献的认可：“公开认可三星在Groq 3上的贡献”，“裸片面积超过700平方毫米”，“每片晶圆仅可切出约64颗芯片”，“70%至80%由SRAM构成”，“无需依赖外部HBM”，“Groq早在与英伟达签署许可协议之前就是客户”。 所有这些信息共同描绘了一个技术创新与市场扩张交织的图景：“2纳米基片工艺”，“1d DRAM核心堆叠存储”，“70%至80%由SRAM构成”，“订单量超出预期”，“700平方毫米裸片面积”，“每片晶圆切出64颗芯片”，“从4纳米跃升至2纳米”，“今年HBM4占比超过50%”，“产量较去年提升逾三倍”。 这个过程体现了科技巨头在应对未来挑战时的前瞻性思维和果断行动：“必须引入先进工艺才能达成目标性能”，“前沿制程虽会带来成本上升”，“为达成目标性能不可避免引入先进工艺”，“技术路径以工艺升级驱动性能跃迁”。 这些细节共同构成了一幅关于未来科技发展的宏大画卷：“满足下一代AI工作负载对内存性能的更高要求”，“从单纯的内存供应商向AI加速器全栈合作伙伴转变”，“在高端AI存储领域以工艺升级驱动性能跃迁”，“对高端DRAM供应格局及下游AI加速器供应链具有直接影响”。